DDR6产品开发已启动 目标2028年实现商业化出货
去年有报道称,产出货包括三星、品开SK海力士和美光在内的发已DRAM制造商早已启动了DDR6的开发工作,专注于芯片设计、启动控制器验证和封装模块集成。目标DRAM制造商已经完成DDR6原型芯片设计,年实正在与英特尔和AMD等内存控制器和平台厂商合作进行接口测试。现商

据The 业化Elec报道,三星、产出货SK海力士和美光这些DRAM制造商最近已经与基板供应商协调DDR6内存模块的品开开发工作,包括厚度、发已堆叠结构和布线等。启动目前DDR6原型产品正在生产和验证当中,目标这部分工作也是年实在JEDEC固态技术协会监督下进行的。
JEDEC于2024年提供了DDR6初步草案,现商在性能和架构方面取得了重大进步。其转向多通道设计,采用4×24位子通道,有别于DDR5的2×32位设置,这将会带来更好的并行处理、数据流和带宽利用率,当然也对模块I/O设计和信号完整性提出了更高的要求。
预计DDR6的速率从8.8 Gbps起步,最高至17.6 Gbps,甚至可能扩展至21 Gbps。同时DDR6支持新的CAMM2标准,取代长期使用的SO-DIMM和DIMM标准,提供了更高的带宽、更高的密度、更低的阻抗和更纤薄的外形尺寸,也解决了传统内存插槽的物理限制。
目前业界已经完成了向DDR5的过渡,去年在服务器市场的占比超过了80%,今年预计达到90%。原本JEDEC可以更早地发布DDR6标准规范,但是一些主要规格迟迟未能敲定,包括厚度、信号使用、功率范围和引脚设计等。随着DRAM制造商加速DDR6标准产品的开发,这一情况将有所改变,预计2028年至2029年之间实现商业化。
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